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CSD88539NDT
制造厂商：TI
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
技术参数：MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
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技术参数详情：
制造商产品型号：CSD88539NDT制造商：TI（德州仪器，Texas Instruments）描述：MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：NexFET?零件状态：有源FET类型：2 N-通道（双）FET功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）：60V25°C时电流-连续漏极(Id)：15A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：28 毫欧 @ 5A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：9.4nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：741pF @ 30V功率-最大值：2.1W工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）现在可以订购CSD88539NDT，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
